特許

J-GLOBAL ID：200903039423759142

半導体ウェーハ支持装置

発明者： 大浦 康浩
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 平井 安雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-104276
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270389
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】 本発明は反応室で活性ガスを反応させて半導体ウェーハ(以下、単にウェーハと呼称)を表面処理する表面処理装置における横型の反応室内に収納され、特にマザーボート上の複数個のウェーハ保持治具にウェーハを保持する半導体ウェーハ支持装置に関し、導入ガスの流れあるいは温度分布の違いを無くしてウェーハ品質を均質化し、生産性を向上させる半導体ウェーハ支持装置を提供することを目的としている。【解決手段】 半導体ウェーハの形状に適合させて作成したウェーハ処理用治具を複数のウェーハ保持治具4相互間に各半導体ウェーハの所定の載置間隔と略同じ寸法だけ最外側に載置される半導体ウェーハから離反させて介装することにより、ウェーハ保持治具3間に形成される空白領域を半導体ウェーハを連設している場合とほぼ等価な状態にできることから、反応室内の反応ガスの流れが乱れず、温度分布の均一化も図れ、ウェーハへの悪影響を無くすことができ、ウェーハの品質のばらつきを少なくして歩留りを向上できる。

請求項（抜粋）：

複数の半導体ウェーハを所定の載置間隔で連設載置した状態で保持するウェーハ保持治具と、前記複数のウェーハ保持治具を直列に連設した状態で反応室に収容するマザーボートと、前記半導体ウェーハの端面形状と略等しい外周端面形状で形成され、前記相互に隣接する各ウェーハ保持具に保持される最外側の半導体ウェーハから前記所定の載置間隔と略同じ寸法だけ離反して両側面が位置するように前記複数のウェーハ保持具相互間に介装されるウェーハ処理用具治具とを備えることを特徴とする半導体ウェーハ支持装置。

IPC (6件)：

H01L 21/22 501 ,  H01L 21/22 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/68

FI (6件)：

H01L 21/22 501 G ,  H01L 21/22 501 M ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 F ,  H01L 21/68 N

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 熱拡散処理用ウエハ支持ボート
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-100616   出願人：ミツミ電機株式会社