特許
J-GLOBAL ID：200903039434450070
半導体材料を用いた薄膜光電材料のための方法及び構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
木村 満
, 毛受 隆典
, 森川 泰司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-511207
公開番号（公開出願番号）：特表2009-537994
出願日： 2007年05月15日
公開日（公表日）： 2009年10月29日
要約：
光電デバイス及び関連する方法。デバイスは、電子収集電極及びホール収集電極間に配置されたナノ構造物質を有する。電子輸送/ホール遮断材料は、電子収集電極とナノ構造物質との間に配置される。特定の実施例においては、ナノ構造物質における光吸収により生成される負電荷キャリアは、電子輸送/ホール遮断材料に選択的に分離される。特定の実施例においては、ナノ構造物質は、波長が約400nm〜700nmに及ぶ光に対し、少なくとも103cm-1の光吸収係数を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第一ナノ構造物質及び第二ナノ構造物質と、
前記第一ナノ構造物質及び前記第二ナノ構造物質間の混合領域と、
前記第一ナノ構造物質の特性を示す第一電子親和力及び第一イオン化ポテンシャルと、
前記第一電子親和力が第二電子親和力より小さく、第二イオン化ポテンシャルより前記第一イオン化ポテンシャルが小さく、前記第二電子親和力が前記第一イオン化ポテンシャルより小さくなるような、前記第二ナノ構造物質の特性を示す前記第二電子親和力及び前記第二イオン化ポテンシャルと、
前記第一ナノ構造物質及び前記第二ナノ構造物質の少なくとも一方又は双方は、波長が約400nm〜700nmに及ぶ光に対して少なくとも10-3cm-1の光吸収係数を有する、
光電ナノコンポジット構造を有するナノ構造物質。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, H01L 21/208
, H01L 21/368
H01L31/04 A
, H01L31/04 E
, H01L21/208
, H01L21/368
5F051AA04
, 5F051AA09
, 5F051AA20
, 5F051CB11
, 5F051CB13
, 5F051FA02
, 5F051GA03
, 5F053AA03
, 5F053AA06
, 5F053AA50
, 5F053DD20
, 5F053PP03
, 5F053RR04
, 5F053RR11
