特許

J-GLOBAL ID：200903049488687608

光電変換素子、その製造方法および太陽電池

発明者： 石田 陽平 ,  福谷 和彦 ,  宮田 浩克 ,  田 透
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 山下 穣平 ,  志村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-292410
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064246
出願日： 2003年08月12日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】 光電変換効率の高い光電変換素子を得る。【解決手段】 p型の第1の半導体層13と、p型の第1の半導体層の上に形成された第2の半導体層(機能層)14と、第2の半導体層の上に形成されたn型の第3の半導体層17と、を備え、第2の半導体層14は、第1の半導体層に対してほぼ垂直に形成した柱状のn型の半導体からなる第1の部材15と第1の部材を取り囲むように形成されp型の半導体を含有する第2の部材16を備えている光電変換素子。この光電変換素子を、半導体層を有する基板上に、基板に対してほぼ垂直な柱状の第1の部材とそれを取り囲む第2の部材を備える構造体を作成する工程と、第1の部材を除去し、孔を形成する工程と、孔にn型の半導体材料を充填する工程と、を含む工程で作製する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

p型の第1の半導体層と、 前記p型の第1の半導体層の上に形成された第2の半導体層と、 前記第2の半導体層の上に形成されたn型の第3の半導体層と、を備え、 前記第2の半導体層は、前記第1の半導体層に対してほぼ垂直に形成した柱状のn型の半導体からなる第1の部材と前記第1の部材を取り囲むように形成されp型の半導体を含有する第2の部材を備えていることを特徴とする光電変換素子。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (1件)：

H01L31/04 B

Fターム (6件)：

5F051AA05 ,  5F051AA20 ,  5F051CB15 ,  5F051DA03 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 太陽電池およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-249184   出願人：株式会社日立製作所