特許
J-GLOBAL ID：200903039436090640
抵抗性クロスポイントメモリセルアレイのための等電位検知方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 馨 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-135844
公開番号（公開出願番号）：特開2002-008369
出願日： 2001年05月07日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：
【要約】【課題】 MRAMデバイス内のメモリセルの抵抗状態を高い信頼性で検知する方法及び装置を提供すること。【解決手段】 磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)中のメモリセル(12)についての読み出し動作時に選択されたビットラインと選択されていないビットラインとに等しい電位を印加する。代替的には、選択されたビットラインと選択されていないワードラインとに等しい電位を印可することが可能である。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセル(12)からなる抵抗性クロスポイントアレイ(10)と、該アレイ(10)の行に沿って延びる複数のワードライン(14)と、前記アレイ(10)の列に沿って延びる複数のビットライン(16)と、選択されたメモリセル(12)についての読み出し動作時に該選択されたメモリセル(12)の抵抗状態を検知する回路(20)であって、選択されたビットラインに第1の電位を印加し、選択されたワードラインに第2の電位を印加し、及び選択されていないワードライン及びビットラインのサブセットに第3の電位を印加し、該第3の電位が前記第1の電位と等しい、回路(20)とを備えている、データ記憶装置(8)。
IPC (3件)：
G11C 11/15
, G11C 11/14
, H01L 27/105
G11C 11/15
, G11C 11/14 E
, H01L 27/10 447
