特許

J-GLOBAL ID：200903048143726078

固体メモリおよびメモリ形成方法

発明者： ジェームス・エイ・ブラグ ,  ラング・ティ・トラン ,  トーマス・シー・アンソニー ,  マノジ・ケー・バタチャルヤ ,  ジャニス・ニケル
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-312782
公開番号（公開出願番号）：特開平11-224483
出願日： 1998年11月04日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：

【要約】【課題】精密なアライメントを要せず製造容易で記憶密度の高い固体メモリを提供する。【解決手段】磁気記憶セルのアレイに1組の導体を結合して読み取り、書き込みが行われる固体メモリである。該固体メモリは、導体をパターン形成するプロセス・ステップによって、磁気記憶セルの磁性層もパターン形成されるので、パターン・マスク間で精密なアライメントをおこなう必要がなくなる。さらに、磁気記憶セルが、単一結晶半導体基板上に形成する必要もないので基板に固有の事情による制限が殆ど無い。

請求項（抜粋）：

それぞれ、情報ビットを記憶する磁気記憶セルのアレイと、磁気記憶セルに結合された1組の上部導体が含まれており、上部導体を形成したパターン形成ステップによって、磁気記憶セルもパターン形成されたことを特徴とする、固体メモリ。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気応答が制御可能な磁気トンネル接合
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-058777   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション