特許
J-GLOBAL ID：200903039452040246

半導体回路およびその作製方法

発明者：
高山 徹

高山 徹 について

, 
竹村 保彦

竹村 保彦 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-086747
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275808
出願日： 1993年03月22日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 薄膜ダイオード(TFD)と薄膜トランジスタ(TFT)を有する半導体回路を低温で製造する方法を提供する。【構成】 アモルファスシリコン膜に、ニッケル、鉄、コバルト、白金等のアモルファスシリコンの結晶化を促進する触媒元素を有する被膜を密着させるか、あるいは触媒元素をイオン注入等の手段で導入し,しかる後に、基板の歪み温度よりも低い温度でアニールして結晶化をおこなう。さらに、これにN型もしくはP型不純物をドーピングすることによってTFT、TFDを形成する。TFDを光センサーとして使用する場合には、真性領域(I層)上にアモルファスシリコン膜を新たに設けてもよい。この結果、TFTおよびTFDを同じシリコン膜によって構成できる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された少なくとも1つの薄膜トランジスタと少なくとも1つの薄膜ダイオードを有し、前記薄膜トランジスタの活性領域(チャネル形成領域)を形成する半導体膜は、前記薄膜ダイオードの真性領域(I層)と同じ層の半導体膜であり、前記薄膜トランジスタの活性領域(チャネル形成領域)および前記薄膜ダイオードの真性領域に含まれる結晶化を促進する触媒元素の濃度は1×1017cm-3もしくはそれ以上の濃度、かつ2×1020cm-3未満の濃度であることを特徴とする半導体回路。
IPC (4件)：
H01L 27/146 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784
FI (4件)：
H01L 27/14 C ,  H01L 27/08 321 B ,  H01L 29/78 311 Y ,  H01L 29/78 311 C
引用特許：
出願人引用 (21件)
  • イメージセンサの製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-196832   出願人：富士ゼロツクス株式会社
  • 特開昭63-142807
  • 特開昭2-140915
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審査官引用 (1件)

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