半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-096452
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299516
出願日： 1992年04月16日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】本発明は、基体表面がSOG膜により平坦化されている半導体装置に関し、低温での加熱処理により、かつ工程を複雑化することなく、水分の含有量の少ないSOG膜が形成され、段差の大きい基体の表面が平坦化されることが可能な半導体装置の提供を目的とする。【構成】基体3上の下部配線層4a,4bと、下部配線層4a,4bを被覆する層間絶縁膜7と、下部配線層4a,4b上の層間絶縁膜7に形成された開口部9a,9bを介して下部配線層4a,4bと接続されたた上部配線層11とを有する半導体装置であって、層間絶縁膜7は、少なくとも下部配線層4a,4bと基体3との間に生じている凹部12を埋め込んで形成された無機SOG膜6であって、加熱処理前の構造が次の一般式:(但し、R1 ,R2 はアルキル基を示す)で表されるものを有することを含み構成する。

請求項（抜粋）：

基体上の下部配線層と、前記下部配線層を被覆する層間絶縁膜と、前記下部配線層上の層間絶縁膜に形成された開口部を介して前記下部配線層と接続されたた上部配線層とを有する半導体装置であって、前記層間絶縁膜は、少なくとも前記下部配線層と前記基体との間に生じている凹部を埋め込んで形成された無機SOG膜であって、加熱処理前の構造が次の一般式:【化1】で表される無機SOG膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/90 , H01L 21/316 , H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭62-179729
特開昭62-179729
特開昭59-057437

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