特許

J-GLOBAL ID：200903039468624760

局所処理装置

発明者： 宮島 弘夫 ,  小池 孝 ,  秋山 博明
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-043355
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237220
出願日： 2000年02月21日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】 電極部を酸化による劣化から保護することにより、気体放電を安定的に効率よく発生させることで表面処理効率を向上させることのできる局所処理装置を提供する。【解決手段】 処理用気体を流通させる放電管40を挟むように対向配置された一対の電極46,48と、当該一方の電極46を高周波電源に接続するリード30とで電極部を形成する。前記電極部の表面に金メッキ処理を施すとともに、高周波電源は出力周波数が30MHz以上のものを用いることとした。

請求項（抜粋）：

処理用気体を流通させる放電管を挟むように対向配置された一対の電極と、当該電極の一方を高周波電源に接続するリードとで電極部を形成し、当該電極部の表面にメッキ処理を施したことを特徴とする局所処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  B01J 19/08

FI (3件)：

B01J 19/08 H ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 H

Fターム (20件)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA61 ,  4G075BA05 ,  4G075BC06 ,  4G075BC10 ,  4G075BD14 ,  4G075CA47 ,  4G075CA63 ,  4G075EB42 ,  4G075EC01 ,  4G075EC21 ,  4G075FA11 ,  4G075FB02 ,  5F004BA03 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004DA22 ,  5F004DA26 ,  5F004EA38

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマ処理システム及びプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-344736   出願人：松下電工株式会社
• 大気圧プラズマ生成方法および装置並びに表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-169010   出願人：セイコーエプソン株式会社