特許
J-GLOBAL ID：200903039481276925
SiC単結晶基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-343098
公開番号（公開出願番号）：特開平9-183700
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】【課題】 SiC単結晶のインゴットからSiC単結晶基板に加工するまでの工程で基板内部に深く不均一に導入される表面加工変質部をドライエッチング法により除去する際、基板表面の表面荒れを発生させず且つエッチング前の平坦度を保ったまま表面加工変質部を完全に除去する。【解決手段】 インゴットから加工したSiC単結晶基板にイオン化した不活性ガスを利用して基板の表面加工変質部と非加工変質部の一部とをエッチングし、これにより導入されるイオン照射損傷層を反応性ガスを利用したエッチングにより除去することで上記課題を解決する。
請求項（抜粋）：
鏡面仕上げに加工されたSiC単結晶基板にイオン化した不活性ガスを利用して前記基板の表面加工変質部と非加工変質部の一部とをエッチングする工程と、前記工程により導入されるイオン照射損傷層を反応性ガスを利用したエッチングにより除去する工程を有することを特徴とするSiC単結晶基板の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 33/12
, C30B 29/36
, H01L 23/14
C30B 33/12
, C30B 29/36 A
, H01L 23/14 S
