特許
J-GLOBAL ID：200903039510606042
窒化物レーザダイオード構造及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-247104
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076523
出願日： 2001年08月16日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 半導体薄膜を分離して、異種の基板材料の上に移転させるやり方で、窒化物レーザダイオード構造を製造する方法を提供する。【解決手段】 レーザダイオード構造の成長後に絶縁性透明基板を取り除いて、レーザダイオード用の電気接点を容易に設けることができ、特殊なアーキテクチャの使用を避けることができ、レーザダイオードに高性能のヒートシンクを取り付けることができるという利点がある。本発明の窒化物レーザダイオード構造を製造する方法は、第1面に透明基板が取り付けられた半導体薄膜を準備し、半導体薄膜の第2面に支持基板を取り付け、半導体薄膜の第1面から透明基板を取り除き、半導体薄膜の第1面の上に弾性的にしなやかな支持層を置き、支持基板から半導体薄膜を切り離し、弾性的にしなやかな支持層を高い熱伝導率を有する基板の上に置く、諸ステップを含んでいる。
請求項（抜粋）：
窒化物レーザダイオード構造を製造する方法であって、第1面に光学的に透明な基体が取付けられた半導体膜を準備するステップと、前記半導体膜の第2面に支持基体を取付けるステップと、前記半導体膜の第1面から前記光学的に透明な基体を取り除くステップと、前記半導体膜の第1面の上に弾性的にしなやかな支持層を置くステップと、前記支持基体から前記半導体膜を切り離すステップと、前記弾性的にしなやかな支持層を高い熱伝導率を有する基体上に置くステップと含むことを特徴とする方法。
Fターム (5件)：
5F073CA17
, 5F073CB05
, 5F073DA25
, 5F073DA32
, 5F073DA35
