特許
J-GLOBAL ID：200903051092622281
成長基板が除去された窒化物レ-ザダイオ-ドの構造及び窒化物レ-ザダイオ-ドアレイ構造の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-364118
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196197
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 レーザダイオードアレイ構造の成長後にサファイア基板を除去して、レーザダイオードアレイへの電気的コンタクトの形成の簡略化と特別な構造の使用の回避、更に優れたヒートシンクのレーザダイオードアレイへの取り付けを、可能にする。【解決手段】 レーザダイオードアレイ構造を備えた半導体膜の成長後に、半導体膜のサファイア基板側と反対側に支持基板1105を取り付ける。その後、サファイア基板を除去する。サファイア基板の除去後、熱伝導性基板1138をサファイア基板があった側に取り付ける。サファイア基板が除去されているので、レーザダイオードアレイへ電気的コンタクトを設けるのに特別な構造が不必要となり、又、より効果的なヒートシンク効果を得ることができる。
請求項（抜粋）：
窒化物レーザダイオードアレイの構造であって、複数の活性層を含み且つ第1の結晶面を有している半導体膜と、第2の結晶面を有し且つ前記半導体膜を支持し、前記熱伝導性基板と前記複数の活性層との間の熱的な結合を強化する熱圧着結合によって前記半導体膜に取り付けられている熱伝導性基板と、前記半導体膜と前記熱伝導性基板との間に設けられたメタル層と、前記レーザダイオードアレイを電気的にバイアスする複数の電極と、を備えていることを特徴とする窒化物レーザダイオードアレイの構造。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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