特許
J-GLOBAL ID：200903039515465315
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-014391
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213951
出願日： 1996年01月30日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 オン電圧およびオン抵抗が小さく、しかもトレンチコーナー部の電流集中の抑制されたU溝(トレンチ)を有した絶縁ゲート型半導体装置を実現する。【解決手段】 トレンチ側壁の面方位が{100}面、およびこの{100}面と135°の角をなす{110}面のみからなるU溝を有した絶縁ゲート型半導体装置であって、その平面パターンは八角形セルと、この八角形セルに囲まれた正方形セルからなる複合セルを基本とするパターンであり、このU溝中にゲート酸化膜、およびゲート電極を構成する。
請求項（抜粋）：
U溝中にゲート酸化膜とゲート電極層とを有する絶縁ゲート型半導体装置であって、該U溝は低次のミラー指数を有する面のみからなる複数の側壁面を有し、該複数の側壁面のうちの、隣接する側壁面相互の交叉する内角が120°以上であることを特徴とする半導体装置。
FI (4件)：
H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 652 F
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 655 A
