特許
J-GLOBAL ID：200903039517037574

半導体集積回路装置

発明者：
山本 克義

山本 克義 について

, 
水口 寿孝

水口 寿孝 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について

, 
富士通ヴィエルエスアイ株式会社

富士通ヴィエルエスアイ株式会社 について


代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-041965
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242775
出願日： 1997年02月26日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】インバータ回路を使用することにより、素子数を削減し得る増幅器を備えた半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】増幅器は、高電位側電源VDDと低電位側電源VSSとが供給されるインバータ回路1,2が2段直列に接続される。前段のインバータ回路1には入力信号INが入力されるとともに、後段のインバータ回路2はその入出力端子が短絡され、その出力端子から出力信号OUTを出力する。
請求項（抜粋）：
入力信号に対して一定のゲインを得た出力信号を出力可能な増幅器を備えた半導体集積回路装置であって、前記増幅器は、高電位側電源と低電位側電源とが供給されるインバータ回路を2段直列に接続し、前段のインバータ回路に入力信号を入力するとともに、後段のインバータ回路の入出力端子を短絡し、その出力端子から出力信号を出力することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (4件)：
H03F 3/16 ,  H03K 19/0175 ,  H03K 5/02 ,  H03M 1/34
FI (4件)：
H03F 3/16 ,  H03K 5/02 A ,  H03M 1/34 ,  H03K 19/00 101 K
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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