特許

J-GLOBAL ID：200903039518949151

強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法

発明者： 菅原 聡 ,  高村 陽太
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学
代理人 (2件)： 片山 修平 ,  横山 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-078925
公開番号（公開出願番号）：特開2008-243922
出願日： 2007年03月26日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】ホイスラー合金である強磁性体層を形成すること。【解決手段】本発明は、反応抑制層14上に形成された半導体層16上に磁性元素層20を形成する工程と、半導体層16と磁性元素層20とを熱処理し反応させることにより、反応抑制層14上にホイスラー合金層26である強磁性体層を形成する工程と、を有することを特徴とする強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法である。本発明によれば、半導体層と磁性元素層との反応を抑制する反応抑制層により、半導体と磁性元素との反応に供給される半導体が制限され、磁性元素の組成比の大きな強磁性体を形成することができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

反応抑制層上に形成された半導体層上に磁性元素層を形成する工程と、 前記半導体層と前記磁性元素層とを熱処理し反応させることにより、前記反応抑制層上にホイスラー合金である強磁性体層を形成する工程と、を有することを特徴とする強磁性体の形成方法。

IPC (10件)：

H01F 10/30 ,  H01L 29/82 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01F 10/32 ,  C22C 19/07 ,  C22C 30/00 ,  C22F 1/10 ,  C23C 14/58 ,  H01F 41/14

FI (10件)：

H01F10/30 ,  H01L29/82 Z ,  H01L29/78 616J ,  H01L29/78 622 ,  H01F10/32 ,  C22C19/07 C ,  C22C30/00 ,  C22F1/10 B ,  C23C14/58 A ,  H01F41/14

Fターム (44件)：

4K029AA04 ,  4K029AA06 ,  4K029BA06 ,  4K029BA09 ,  4K029BA21 ,  4K029BA35 ,  4K029BB02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029DB03 ,  4K029GA01 ,  5E049AA10 ,  5E049BA29 ,  5E049DB14 ,  5E049EB03 ,  5E049HC01 ,  5E049JC01 ,  5F092AA11 ,  5F092AC24 ,  5F092BD05 ,  5F092BD15 ,  5F092BD20 ,  5F092BD22 ,  5F092BD24 ,  5F092CA25 ,  5F110AA30 ,  5F110BB13 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE32 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ14 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK32 ,  5F110HK40 ,  5F110HK42