特許

J-GLOBAL ID：200903039520180647

半導体装置の製造方法

発明者： 宮野 清孝
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-186835
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031666
出願日： 1997年07月11日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【課題】高融点金属からなるゲート電極の形状変化を抑制する。【解決手段】自然酸化膜21の還元による除去後直ちに、N2 ,H2 ,H2 O雰囲気で800°C,60分程度の酸化処理を行う。例えば、H2 分圧を2.5×10-2Torr、H2 O分圧を2.5×10-3Torrとすることで、Wオキソ酸の蒸気圧を抑制し、W膜17の気化量を1nm以下に抑制することが可能である。また、選択酸化処理によって、ゲート電極の底端部が酸化され、バーズビーク状の厚い酸化膜が形成される。そのため、多結晶シリコン膜15の底端部の角が丸められた形状となり、ゲート電極底端部における電界集中が緩和され、素子の信頼性及び特性の向上が図られる。

請求項（抜粋）：

水蒸気及び水素を含む雰囲気中で、高融点金属を加熱処理する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記加熱処理の際、前記高融点金属の表面に生成される金属オキソ酸の蒸気圧を制御し、該高融点金属の形状変化を抑制することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/28 B ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-009166
  
• 特開平4-058688
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-236783   出願人：株式会社東芝