半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-236783
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094716
出願日： 1993年09月22日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】熱処理時間を短縮して、熱的負荷を軽減するとともに、ゲート耐圧を向上させた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】シリコン基板11上にゲ-ト酸化膜13を介して金属窒化物層及び金属層を含む積層構造を有するゲート電極18を形成する工程と、還元性気体、酸化性気体及び窒素を含む雰囲気中で熱処理することによりシリコン基板11表面の酸化を行なう工程とを具備し、前記熱処理工程の前後において、金属窒化物層15及び金属層16の酸化によりそれぞれ形成される金属酸化物層の膜厚が金属窒化物層15及び金属層16の膜厚の20%以下となるように制御された昇温速度及び降温速度で昇降温を行なうことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上にゲ-ト絶縁膜を介して金属窒化物層及び金属層を含む積層構造を有するゲート電極を形成する工程と、還元性気体、酸化性気体及び窒素を含む雰囲気中で熱処理することにより前記シリコン基板表面の酸化を行なう工程と、前記熱処理の工程の前後において前記雰囲気中で前記シリコン基板の昇降温を行なう工程工程とを具備し、前記昇降温の工程は、前記金属窒化物層及び前記金属層の酸化によりそれぞれ形成される金属酸化物層の膜厚が前記金属酸化物層及び前記金属層の膜厚の20%となる昇温速度及び降温速度以上の速度で行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭63-299273
特開昭59-132136
特開平3-119763

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審査官引用 (5件)

特開昭63-299273
特開昭59-132136
特開平3-119763

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