特許
J-GLOBAL ID：200903039522844046
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-051604
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252308
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 薄型の半導体装置を多数個同時集約的に製造することが、半導体素子の封止が不完全なものになったり樹脂製被覆材にマーキングを正確に施すことができずに、困難であった。【解決手段】 周辺部に枠状部13を有し、その内側に多数の分割線12で区画された多数の半導体素子搭載領域11を備えた母基板10を準備し、次に多数の半導体素子搭載領域11のそれぞれに半導体素子2を搭載し、次に枠状部13の内側で半導体素子2を含む半導体素子搭載領域11の上面を樹脂製被覆材5で被覆し、次に多数の半導体素子搭載領域11を樹脂製被覆材5とともに分割線12に沿って分割する半導体装置の製造方法である。半導体素子2の封止を完全なものとでき、樹脂製被覆材5にマーキングを正確に施すことができる。
請求項（抜粋）：
周辺部に枠状部を有し、該枠状部の内側に多数の分割線で区画された多数の半導体素子搭載領域を備えた母基板を準備する工程と、前記多数の半導体素子搭載領域のそれぞれに半導体素子を搭載する工程と、前記枠状部の内側で前記半導体素子を含む前記半導体素子搭載領域の上面を樹脂製被覆材で被覆する工程と、前記多数の半導体素子搭載領域を前記樹脂製被覆材とともに前記分割線に沿って分割する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/56 E
, H01L 21/78 Q
5F061AA01
, 5F061BA03
, 5F061CA06
, 5F061CB13
