薄膜製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-011690
公開番号（公開出願番号）：特開平9-202967
出願日： 1996年01月26日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】膜厚が安定し、膜厚分布の調整も容易な薄膜製造方法を提供する。【解決手段】スパッタリング中に導入するガスのうち少なくとも一種類のガスの濃度分布を、ターゲット近傍において周期的に変動させる薄膜製造方法。

請求項（抜粋）：

スパッタリングにより基板上に薄膜を堆積させる薄膜製造方法において、スパッタリング中に導入するガスのうち少なくとも一種類のガスの濃度分布を、ターゲット近傍において周期的に変動させることを特徴とする薄膜製造方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 , C23C 14/54 , C23C 14/56

FI (3件)：

C23C 14/34 M , C23C 14/54 B , C23C 14/56 H

引用特許：

審査官引用 (2件)

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