特許

J-GLOBAL ID：200903039542282931

半導体装置およびその製造方法

発明者： 牧田 直樹 ,  宮本 忠芳 ,  渋谷 司 ,  前川 真司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-288135
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148426
出願日： 1994年11月22日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】 簡便な方法による触媒元素の濃度制御により、選択導入領域の触媒元素を効率よく横方向結晶成長に利用するとともに、選択導入領域中の残留触媒元素の濃度を低減する。【構成】 基板の絶縁性表面上に設けられた活性領域103iを、非晶質ケイ素膜103の結晶化を助長する触媒元素が選択的に導入され結晶化された領域103aからその周辺領域へ加熱により結晶成長して形成した領域103bとした。

請求項（抜粋）：

絶縁性表面を有する基板と、該基板の絶縁性表面上に設けられ、非晶質ケイ素膜を結晶化してなる活性領域とを備え、該活性領域は、該非晶質ケイ素膜の結晶化を助長する触媒元素が選択的に導入され結晶化された線状領域からその周辺領域への加熱処理による結晶成長により形成したものであり、該活性領域及び線状領域の少なくとも一方は、その触媒元素濃度が、該触媒元素を選択的に導入すべく設定された、線状の平面パターンを有する導入設定領域の線幅により制御されているものである半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 27/146 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 27/14 C ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-040522   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所