半導体装置の薄膜形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-086366
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326026
出願日： 1993年04月13日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】更なる高密度化に対応し得るPECVD法を適用した半導体装置の薄膜形成方法を提供する。【構成】相互に異なった周波数の2電源により反応容器内にプラズマを発生させ、この反応容器内に導入した反応ガスをプラズマ放電エネルギーを用いて活性化させることにより、反応ガスの化学的気相成長によって生成される沈積物を試料面へ被着させる半導体装置の薄膜形成方法であって、前記反応ガスとして、TEOS系ガスとフッ素系ガスとの混合ガス、又はTEOS系ガスと塩素系ガスとの混合ガス、又はTEOS系ガスと臭素系ガスとの混合ガスを適用した。

請求項（抜粋）：

相互に異なった周波数の2電源により反応容器内にプラズマを発生させ、この反応容器内に導入した反応ガスをプラズマ放電エネルギーを用いて活性化させることにより、反応ガスの化学的気相成長によって生成される沈積物を試料面へ被着させる半導体装置の薄膜形成方法において、前記反応ガスとして、TEOS系ガスとフッ素系ガスとの混合ガスを適用したことを特徴とする半導体装置の薄膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 14/34 , C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-268429
特公昭59-030130
特開平4-341568

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