特許
J-GLOBAL ID:200903039608373020
薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
加藤 朝道
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-050140
公開番号(公開出願番号):特開2000-250436
出願日: 1999年02月26日
公開日(公表日): 2000年09月14日
要約:
【要約】【課題】工程負荷の増大や表示への影響がなく、かつ信号線の断線を修正できる薄膜トランジスタアレイの提供。【解決手段】ガラス等からなる透明絶縁基板上に、第一の導電膜より形成された複数本の走査線(1)と、第二の導電膜より形成された複数本の信号線と、隣り合う走査線と隣り合う信号線(2)とで囲まれた領域のゲート絶縁膜上に形成された画素電極と、画素電極に接続された薄膜トランジスタ(8)と、第一の導電膜より形成され、各画素電極の信号線に面した外周部とゲート絶縁膜を介して遮光用重なり部分(27)を形成する遮光膜(3)と、からなる薄膜トランジスタアレイにおいて、遮光膜(3)の前記信号線に沿った両端付近を信号線側に突出させ、信号線とゲート絶縁膜を介して重なり合う修正用重なり部分(28)を備えている。
請求項(抜粋):
透明絶縁基板上に、第一の導電膜より形成された複数本の走査線と、第二の導電膜より形成された複数本の信号線と、隣り合う走査線と隣り合う信号線とで囲まれた領域のゲート絶縁膜上に形成された画素電極と、画素電極に接続された薄膜トランジスタと、第一の導電膜より形成され各画素電極の前記信号線に面した外周部と前記ゲート絶縁膜を介して遮光用重なり部分を形成する遮光膜と、を含む薄膜トランジスタアレイにおいて、前記遮光膜は、前記信号線に沿った両端近傍に位置する所定領域が、前記信号線側に突出されて、前記信号線とゲート絶縁膜を介して修正用重なり部分を形成していることを特徴とする、薄膜トランジスタアレイ。
IPC (3件):
G09F 9/30 338
, G02F 1/1365
, H01L 29/786
FI (3件):
G09F 9/30 338
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 619 B
Fターム (48件):
2H092JA24
, 2H092JA34
, 2H092JA38
, 2H092JA42
, 2H092JB23
, 2H092JB32
, 2H092JB33
, 2H092JB52
, 2H092JB56
, 2H092JB73
, 2H092MA05
, 2H092MA13
, 2H092MA30
, 2H092MA52
, 2H092NA23
, 2H092NA27
, 2H092NA29
, 5C094AA13
, 5C094AA32
, 5C094AA42
, 5C094AA43
, 5C094BA03
, 5C094BA43
, 5C094CA19
, 5C094DA13
, 5C094DB04
, 5C094DB08
, 5C094DB10
, 5C094EA04
, 5C094EA10
, 5C094EB02
, 5C094ED15
, 5C094FA01
, 5C094FA02
, 5C094FB02
, 5C094FB12
, 5C094FB15
, 5C094GB10
, 5F110AA27
, 5F110BB01
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110EE44
, 5F110NN02
, 5F110NN44
, 5F110NN54
, 5F110NN58
引用特許:
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