特許

J-GLOBAL ID：200903039611741480

半導体素子

発明者： 鳥居 克行
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (2件)： 木村 満 ,  毛受 隆典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-293802
公開番号（公開出願番号）：特開2006-253636
出願日： 2005年10月06日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：

【課題】発熱による熱暴走を起こし難い半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体素子10は、N-型べース領域11内に形成されたP型ベース領域13と、P型ベース領域13内に相互に離間して複数形成されたN+型エミッタ領域14を備える。半導体素子10の中心部においてN+型エミッタ領域14がP型ベース領域13に占める面積の割合は、半導体素子10の周辺部でN+型エミッタ領域14がP型ベース領域13に占める面積の割合と比較して小さくなるようにN+型エミッタ領域14を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域の表面領域に形成された第2導電型の第2半導体領域と、前記第2半導体領域の表面領域に形成された第1導電型の第3半導体領域と、を備える半導体基体と、 前記第1半導体領域と前記第3半導体領域に挟まれた前記第2半導体領域上に形成される第1の電極と、を備える半導体素子であって、 前記半導体基体の中心側に、前記第3半導体領域が前記第2半導体領域に対して第1の割合で占める第1の領域が形成されており、 前記半導体基体の外周側には、前記第3半導体領域が前記第2半導体領域に対して前記第1の割合よりも大きい第2の割合で占める第2の領域が、前記第1の領域を包囲するように環状に形成されていることを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/739

FI (5件)：

H01L29/78 655A ,  H01L29/78 655F ,  H01L29/78 655G ,  H01L29/78 652B ,  H01L29/78 652K

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 絶縁ゲート型半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-166939   出願人：サンケン電気株式会社

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-080860
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-325269   出願人：株式会社東芝