特許
J-GLOBAL ID：200903039617467991
荷電粒子描画方法及び荷電粒子描画装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-214593
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138165
出願日： 1999年07月29日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：
【要約】【課題】 部分照射領域同士に接続誤差が生じたとしても、スループットを低下させることなく回路パターンの致命的な変形を防止できるようにする。【解決手段】 まず、成形ビーム21を回路パターン16aの左下隅の領域から左上の領域に達するまで、基板ステージ12及びマスクステージ17を連続的に-Y方向に移動させながら、成形ビーム21を照射することにより部分照射領域22を得る。次に、成形ビーム21が回路パターン16aの左上の領域に達した後に、基板ステージ12及びマスクステージ17をピッチP分だけ-X方向にずらす。次に、成形ビーム21を回路パターン16aの上端部から下端部に達するまで、基板ステージ12及びマスクステージ17を連続的に+Y方向に移動させる。このとき、成形ビーム21は、部分照射領域22の二重照射部22aと非二重照射部22bとの照射量が等しくなるように成形されている。
請求項（抜粋）：
荷電粒子発生源から出射される出射ビームを所定形状に成形するビーム成形工程と、成形されたビームを、設計パターンを有するマスクの前記設計パターンの一部分に透過させると共に、透過したビームを基板上の一部分に照射して前記基板上に前記設計パターンの一部分を転写する部分転写を繰り返すことにより、前記基板上に前記設計パターンを転写する設計パターン転写工程とを備え、前記設計パターン転写工程は、前記部分転写を行なう際に、前記基板上における前記ビームが照射された照射領域にその一部分が二重に照射される二重照射部を形成すると共に、前記照射領域における前記二重照射部と二重に照射されない非二重照射部との前記ビームの照射量が実質的に同一となるように照射する工程を含むことを特徴とする荷電粒子描画方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 504
, G03F 7/20 521
, H01J 37/305
H01L 21/30 541 M
, G03F 7/20 504
, G03F 7/20 521
, H01J 37/305 B
, H01L 21/30 541 J
, H01L 21/30 541 S
, H01L 21/30 541 B
