特許
J-GLOBAL ID:200903039637596577

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 後藤 洋介 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-194092
公開番号(公開出願番号):特開2000-026953
出願日: 1998年07月09日
公開日(公表日): 2000年01月25日
要約:
【要約】【課題】 膜厚分布の調整を容易に行うことのできるプラズマ処理方法を提供すること。【解決手段】 主ハース30の近傍に、主ハースの中心軸に対して同心的に永久磁石35とハースコイル36を配置する。このハースコイルに直流電源38と交流電源10とを接続して直流電流と交流電流とを重畳させて流し、それぞれの値を変化させることにより、膜厚を調整する。
請求項(抜粋):
プラズマビームを発生するためのビーム発生源と、真空容器内に配置され前記プラズマビームの入射面を持つハースとを含み、前記ビーム発生源で発生されたプラズマビームを前記ハースの入射面に導き、処理を行うプラズマ処理方法において、前記ハースの近傍に前記ハースの中心軸に対して同心的に配置された環状永久磁石により定常磁界を形成し、前記ハースの中心軸に対して同心的に配置された電磁コイルに直流電流を流すことにより調整磁界を前記定常磁界に重畳し、前記電磁コイルには更に、低周波の交流電流を流して前記ハースの近傍の磁場を変化させることを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (4件):
C23C 14/32 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46
FI (4件):
C23C 14/32 Z ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 L
Fターム (13件):
4K029DB12 ,  4K029DD05 ,  4K029EA07 ,  5F045AA08 ,  5F045BB02 ,  5F045EH16 ,  5F045EH20 ,  5F045GB09 ,  5F103AA06 ,  5F103BB09 ,  5F103BB14 ,  5F103BB58 ,  5F103RR04
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 蒸着装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-187262   出願人:旭硝子株式会社
  • 特開平2-015166
  • 特開平2-101160
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