特許

J-GLOBAL ID：200903039645560557

半導体装置の製造方法

発明者： 福田 宏
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-021685
公開番号（公開出願番号）：特開2003-224057
出願日： 2002年01月30日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：

【要約】【課題】半導体微細パターン形成において、位置合わせ用マークの非対称性により層間合わせ誤差が生じる。【解決手段】マスクとウエハーの位置合わせに先立ち、位置合わせ用マークの非対称性をスキャトロメトリーの原理で計測し、その結果を考慮して位置合わせを行い露光する。【効果】スループットを犠牲としないで高精度な合わせが可能となり、半導体装置の性能が向上するとともに、製造歩留りが上がり低コスト化が可能となる。

請求項（抜粋）：

合わせマークを有する第1のパターンを半導体基板上に形成する工程と、前記第1のパターン表面上にレジスト膜を形成する工程と、マスク上に形成された第2のパターンと前記合わせマークとの位置合わせを行い、前記第2のパターンを前記レジスト膜上に転写する工程とを有し、前記位置合わせを行うにあたって、前記合わせマークの非対称性を計測する工程と、前記計測結果に基づいて、前記位置合わせを行う工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G01B 11/00 ,  G01B 11/02

FI (5件)：

G01B 11/00 G ,  G01B 11/02 G ,  H01L 21/30 525 F ,  H01L 21/30 522 D ,  H01L 21/30 525 W

Fターム (25件)：

2F065AA03 ,  2F065AA07 ,  2F065AA17 ,  2F065AA21 ,  2F065AA30 ,  2F065BB02 ,  2F065BB28 ,  2F065CC20 ,  2F065DD00 ,  2F065FF48 ,  2F065GG22 ,  2F065HH14 ,  2F065JJ01 ,  2F065JJ08 ,  2F065JJ18 ,  2F065LL04 ,  2F065QQ38 ,  5F046EA07 ,  5F046EA13 ,  5F046EB01 ,  5F046EB07 ,  5F046ED01 ,  5F046FA06 ,  5F046FC03 ,  5F046FC04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 位置検出方法及び装置、並びに前記位置検出方法を用いた露光方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-073475   出願人：株式会社ニコン