炭素質ナノ構造体の製造方法、炭素質ナノ構造体及びそれを用いた電子源

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：奥田誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-036697
公開番号（公開出願番号）：特開2004-243477
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】低温で炭素質ナノ構造体を製造できる簡便な方法、並びにその方法により低温で製造された炭素質ナノ構造体及び電子源を提供する。【解決手段】複数のナノホール5を有するナノホール構造体4bを用意する工程と、複数のナノホール5の少なくとも一つの内部に原料ガスを供給して、化学気相成長法により、少なくとも一つのナノホール5の内表面に炭素を堆積させる工程とを包含する。原料ガスは、少なくともジオレフィン系化合物とモノオレフィン系化合物とを含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

複数のナノホールを有するナノホール構造体を用意する工程と、前記複数のナノホールの少なくとも一つの内部に原料ガスを供給して、化学気相成長法により、前記少なくとも一つのナノホールの内表面に炭素を堆積させる工程とを包含し、前記原料ガスは、少なくともジオレフィン系化合物とモノオレフィン系化合物とを含む、炭素質ナノ構造体の製造方法。

IPC (7件)：

B82B3/00 , C01B31/02 , C23C16/26 , H01J1/304 , H01J9/02 , H01J29/04 , H01J31/12

FI (7件)：

B82B3/00 , C01B31/02 101F , C23C16/26 , H01J9/02 B , H01J29/04 , H01J31/12 C , H01J1/30 F

Fターム (49件)：

4G146AA11 , 4G146AA15 , 4G146AB05 , 4G146AC03A , 4G146AC03B , 4G146AD29 , 4G146AD40 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146BC32A , 4G146BC32B , 4G146BC33A , 4G146BC33B , 4K030AA09 , 4K030BA27 , 4K030BB00 , 4K030CA05 , 4K030CA06 , 4K030CA15 , 4K030JA10 , 4K030LA18 , 5C031DD17 , 5C036EE01 , 5C036EE14 , 5C036EF01 , 5C036EF06 , 5C036EG12 , 5C036EH11 , 5C036EH26 , 5C127AA01 , 5C127BA09 , 5C127BA13 , 5C127BA15 , 5C127BB05 , 5C127BB07 , 5C127CC03 , 5C127CC62 , 5C127DD02 , 5C127DD07 , 5C127DD08 , 5C127DD22 , 5C127DD38 , 5C127DD40 , 5C127DD78 , 5C127EE15 , 5C135AB07 , 5C135HH15

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