特許
J-GLOBAL ID:200903039647122476
半導体放射線検出装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
有近 紳志郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-148174
公開番号(公開出願番号):特開平7-012947
出願日: 1993年06月21日
公開日(公表日): 1995年01月17日
要約:
【要約】【目的】 時間経過とともに検出出力が低下することを防止する。【構成】 サンフ ゚リンク ゙スイッチSSがオフ,リセットスイッチDSがオンの状態で、X線照射を開始し、同時にバイアス用電極3に第1バイアス電圧(バイアス)を印加する。その第1バイアス電圧を印加した直後の過渡状態が終わった後、リセットスイッチDSをオフにし、検出電流iでコンデンサCを充電する。所定時間充電後にサンフ ゚リンク ゙スイッチSSをオンして、その時の検出出力電圧Vをデータ収集系で読み出す。次に、サンフ ゚リンク ゙スイッチSSをオフし、リセットスイッチDSをオンし、同時にバイアス用電極3に第2バイアス電圧(逆バイアス)を印加して半導体結晶ブロック1内に蓄積された電荷を引き抜く。それから、バイアス用電極3に第1バイアス電圧を印加する。その第1バイアス電圧を印加した直後の過渡状態が終わった後、リセットスイッチDSをオフにし、検出電流iでコンデンサCを充電する。これを繰り返す。【効果】 時間経過とともに検出出力が低下することを防止でき、安定した検出出力が得られる。
請求項(抜粋):
放射線に対して有感な半導体結晶ブロックの一方の面にバイアス用電極を設置し他方の面に信号取出用電極を設置した半導体放射線検出器と、前記バイアス用電極に第1バイアス電圧を印加するか又は前記第1バイアス電圧に対して相対的に負の第2バイアス電圧を切換印加する電圧切換印加手段と、放射線の照射中に前記バイアス用電極に前記第2バイアス電圧を1回以上印加するように前記電圧切換印加手段を制御する制御手段とを具備したことを特徴とする半導体放射線検出装置。
IPC (2件):
引用特許:
審査官引用 (2件)
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測定データ補正法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-312080
出願人:松下電器産業株式会社
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放射線検出方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-163834
出願人:株式会社ジャパンエナジー
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