特許
J-GLOBAL ID：200903039664958839
ナノレーザ構造およびナノレーザ構造の作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-215781
公開番号（公開出願番号）：特開2009-049282
出願日： 2007年08月22日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：
【課題】ボトムアップ的に制御性よくナノオーダのレーザ構造を作製する。【解決手段】GaPナノワイヤ13をSi(111)基板11上に形成した後、GaAsナノワイヤ14をGaPナノワイヤ13上に形成し、GaAsナノワイヤ14をAu微粒子12とともにGaPナノワイヤ13上から除去してから、GaAsキャッピング層15およびGaPキャッピング層16を(111)基板11上にエピタキシャル成長させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
金属微粒子を半導体基板上に形成する工程と、
VLS成長またはVSS成長にて前記金属微粒子下に第1ナノワイヤを形成する工程と、
前記第1ナノワイヤよりもエッチングレートの大きな第2ナノワイヤをVLS成長もしくはVSS成長にて前記第1ナノワイヤ上に形成する工程と、
前記第2ナノワイヤを選択的にエッチングすることにより、前記金属微粒子を第2ナノワイヤとともに前記第1ナノワイヤ上から除去する工程と、
前記第2ナノワイヤが除去された前記第1ナノワイヤの周囲に前記第1ナノワイヤとヘテロ接合を構成する第1キャッピング層を結晶成長にて形成する工程と、
前記第1キャッピング層の周囲に前記第1キャッピング層とヘテロ接合を構成する第2キャッピング層を結晶成長にて形成する工程とを備えることを特徴とするナノレーザ構造の作製方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F173AB03
, 5F173AB50
, 5F173AF08
, 5F173AH28
, 5F173AP06
, 5F173AP32
, 5F173AP33
