超格子のナノデバイス及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-117004
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303508
出願日： 2006年04月20日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

【課題】本発明は、超格子のナノデバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係わる超格子のナノデバイスは、少なくとも一つの構成ユニットを含む。該構成ユニットは、基体と該基体に形成される一次元のナノの構成を含む第一電極と、該基体に形成され、前記一次元のナノ構成を囲う機能層と、該第一電極と電気絶縁し、前記機能層を囲う第二電極と、を含む。一次元のナノ構成の側面に多くの薄層の膜を積層することを通じるから、二次元の超格子の構成を製造する成熟の技術を利用でき、その製造難度が下がる。しかも、気相-液相-固相成長法でナノワイヤーを成長させる技術では、超格子の材料と金属の触媒が合金又は固溶体を形成する必要がある問題を解決できるから、種類が多い超格子のナノデバイスを製造できる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

少なくとも一つの構成ユニットを含む超格子のナノデバイスにおいて、該構成ユニットは、基体と該基体に形成される一次元のナノ構成を含む第一電極と、該基体に形成され、前記一次元のナノ構成を囲う機能層と、前記第一電極と電気絶縁し、前記機能層を囲う第二電極と、を含むことを特徴とする超格子のナノデバイス。

IPC (7件)：

H01L 29/06 , H01L 43/08 , B82B 1/00 , B82B 3/00 , H01L 29/15 , H01L 33/00 , H01S 5/343

FI (7件)：

H01L29/06 601N , H01L43/08 Z , B82B1/00 , B82B3/00 , H01L29/06 601S , H01L33/00 C , H01S5/343 610

Fターム (26件)：

5F041AA31 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA67 , 5F041CA82 , 5F041CA83 , 5F041CA93 , 5F041CB23 , 5F041DB08 , 5F092AC06 , 5F092AC14 , 5F092BB04 , 5F092BB11 , 5F092BC43 , 5F173AA21 , 5F173AD02 , 5F173AF12 , 5F173AH22 , 5F173AK02 , 5F173AK21 , 5F173AP05 , 5F173AP09 , 5F173AP71 , 5F173AR99

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-044397 出願人：株式会社日立製作所
特表平6-509212
ナノ構造体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-290536 出願人：キヤノン株式会社

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