特許
J-GLOBAL ID：200903039699997470

半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

発明者：
橋元 伸晃

橋元 伸晃 について

, 
花岡 輝直

花岡 輝直 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-050906
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244360
出願日： 2000年02月28日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：
【要約】【課題】 小型化及び薄型化が可能な半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体チップ10の第1の面側にバンプ22を突出させて形成する工程と、第1の面とは反対の第2の面側に、導電層18を、第2の面から窪んだ位置に露出させて形成する工程と、を含み、導電層18の穴26からの露出部とバンプ22とが、電気的な接続部となる。
請求項（抜粋）：
半導体素子の電極が形成された面に、前記電極と電気的に接続されてなる導電層を形成する工程と、前記電極上を避けて、前記導電層上に第1の電気的接続部を形成する工程と、前記導電層の前記半導体素子側の面の一部が、第2の電気的接続部として、露出するように、前記半導体素子に穴を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 23/12 ,  H01L 21/60 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (4件)：
H01L 23/12 L ,  H01L 21/92 602 M ,  H01L 21/92 604 D ,  H01L 25/08 B
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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