特許

J-GLOBAL ID：200903039706956645

抵抗変化素子およびそれを用いた不揮発性メモリ、ならびにこれらの製造方法

発明者： 小田川 明弘 ,  杉田 康成 ,  菅野 勉 ,  酒井 章裕 ,  足立 秀明
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-261921
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080259
出願日： 2004年09月09日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】 電気抵抗変化によって実現する抵抗変化素子およびそれを用いた不揮発性メモリを提供する。【解決手段】 本発明に係る抵抗変化素子は、下部電極11と、上部電極13と、上部電極13と下部電極11との間に配置されたスピネル構造を有する材料層12とを含んで構成され、下部電極11と上部電極13との間に電流あるいは電圧を印加することで抵抗が変化し、下部電極11の材料が、金属窒化物(好ましくは窒化チタン)である。このような抵抗変化素子は、代表的に不揮発性メモリに適用される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

下部電極と、 上部電極と、 前記上部電極と前記下部電極との間に配置されたスピネル構造を有する材料層とを含んで構成され、 前記下部電極と前記上部電極との間に電流あるいは電圧を印加することで抵抗が変化し、 前記下部電極が、金属窒化物からなる、抵抗変化素子。

IPC (1件)：

H01L 27/10

FI (1件)：

H01L27/10 451

Fターム (13件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA29 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR04 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA21

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 米国特許第6204139号明細書
  
• 情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-600308   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気センサ、メモリー装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-292035   出願人：松下電器産業株式会社