特許
J-GLOBAL ID:200903039745440567

ランガサイト型単結晶の作製方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 正武 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-168330
公開番号(公開出願番号):特開2002-356396
出願日: 2001年06月04日
公開日(公表日): 2002年12月13日
要約:
【要約】【課題】 均一な単結晶からなる長尺のランガサイト単結晶インゴットを得る。【解決手段】 温度勾配をもたせた炉内で、種結晶と単結晶原料を入れたるつぼを回転させつつ、るつぼ内の単結晶原料を、炉内上部のランガサイトの融点以上の温度領域の位置から炉内下部の融点より低い温度領域の位置まで降下させることにより単結晶を育成する。
請求項(抜粋):
ランガサイト型単結晶をブリッジマン法で作製する方法であって、温度勾配をもたせた炉内で、種結晶と単結晶原料を入れたるつぼを回転させつつ、るつぼ内の単結晶原料を、炉内のランガサイトの融点以上の温度領域の位置から炉内のランガサイトの融点より低い温度領域の位置まで降下させることにより単結晶を育成することを特徴とするランガサイト型単結晶の作製方法。
IPC (3件):
C30B 29/34 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24
FI (3件):
C30B 29/34 Z ,  H01L 41/22 A ,  H01L 41/18 101 A
Fターム (9件):
4G077AA02 ,  4G077BD15 ,  4G077CD02 ,  4G077EA06 ,  4G077EH08 ,  4G077EH09 ,  4G077HA11 ,  4G077MB04 ,  4G077MB35
引用特許:
審査官引用 (5件)
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