特許
J-GLOBAL ID：200903039747751870

重ね合わせずれ量算出方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
中村 勝彦

中村 勝彦 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (1件)： 福井 豊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-122985
公開番号（公開出願番号）：特開2009-270988
出願日： 2008年05月09日
公開日（公表日）： 2009年11月19日
要約：
【課題】TISの平均値以外の重ね合わせ測定精度に関わる指標も考慮し、総合的に最適な焦点位置を決定できる重ね合わせずれ量算出方法を提供する。【解決手段】重ね合わせずれ量の相関係数、基板面内のTISの3σ、繰り返し測定再現性を考慮し、(焦点位置決定値)=-(相関係数)+(基板面内TISバラツキ)+(繰り返し測定再現性)と、上記焦点位置決定値を定義する。この焦点位置決定値を測定マークに対する光学顕微鏡の最適な焦点位置決定指標として用いる。この焦点位置決定値が最小となる焦点位置を最適な焦点位置と決定し、その最適焦点位置における基板面内のTISの平均値を個々の重ね合わせずれ量に対して補正を行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された複数の第1の測定マークと、各該第1の測定マークに対応する第2の測定マークとの重ね合わせずれ量を、複数の焦点位置にて光学顕微鏡により測定する工程と、 各上記焦点位置にて、TIS(Tool Induced Shift)の上記半導体基板内の平均値を算出する工程と、 上記平均値と所定の統計量とに基づいて、上記焦点位置の最適値を決定する工程と、 上記最適値の焦点位置における上記平均値に基づいて、上記測定された重ね合わせずれ量を補正する工程と を備えることを特徴とする、重ね合わせずれ量の算出方法。
IPC (4件)：
G01B 11/00 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/20 ,  G02B 7/28
FI (6件)：
G01B11/00 C ,  H01L21/30 525W ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 514E ,  H01L21/30 502V ,  G02B7/11 M
Fターム (32件)：
2F065AA03 ,  2F065AA07 ,  2F065AA09 ,  2F065AA12 ,  2F065AA14 ,  2F065AA20 ,  2F065BB03 ,  2F065BB28 ,  2F065CC19 ,  2F065EE00 ,  2F065EE08 ,  2F065FF01 ,  2F065FF04 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ26 ,  2F065NN20 ,  2F065PP24 ,  2F065QQ18 ,  2F065QQ42 ,  2F065TT08 ,  2H051AA10 ,  2H051BA72 ,  2H051CE30 ,  5F046AA11 ,  5F046DA14 ,  5F046EB01 ,  5F046FA08 ,  5F046FA09 ,  5F046FA17 ,  5F046FB19 ,  5F046FC04 ,  5F046FC06
引用特許：
出願人引用 (1件)

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