特許

J-GLOBAL ID：200903039758854450

化合物半導体粒子およびその製造方法

発明者： 小林 正和 ,  武田 光生
出願人/特許権者： 小林 正和 ,  株式会社日本触媒
代理人 (1件)： 松本 武彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-534110
公開番号（公開出願番号）：特表2005-523231
出願日： 2003年08月27日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】 発光強度や発光効率等の化合物半導体特有の機能においてより優れた性能を発揮し得る化合物半導体粒子、および、そのような化合物半導体粒子を経済的に生産性よくかつ容易に得る方法を提供する。 【解決手段】 本発明にかかる化合物半導体粒子は、C、Si、Ge、Sn、Pb、N、P、As、Sb、S、SeおよびTeからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素Xと、前記元素Xと同一になることはない少なくとも1種の金属元素Mとを元素の必須の組み合わせとしてなる化合物半導体からなる本体粒子を備え、その粒子径が1μm未満であり、その表面が、アシルオキシル基が結合した金属酸化物により被覆されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

金属カルボン酸塩とアルコールと化合物半導体からなる粒子とを含む混合物、または、金属アルコキシ基含有化合物とカルボキシル基含有化合物と化合物半導体からなる粒子とを含む混合物を加熱および/または磨砕することにより、前記粒子の表面を金属酸化物で被覆する、化合物半導体粒子の製造方法。

IPC (8件)：

C01B19/04 ,  C01B17/42 ,  C01B25/45 ,  C01B31/36 ,  C01F17/00 ,  C01G9/00 ,  C01G9/08 ,  C01G25/00

FI (9件)：

C01B19/04 C ,  C01B19/04 G ,  C01B17/42 ,  C01B25/45 T ,  C01B31/36 601S ,  C01F17/00 E ,  C01G9/00 B ,  C01G9/08 ,  C01G25/00

Fターム (23件)：

4G047AA04 ,  4G047AA05 ,  4G047AB04 ,  4G047AD03 ,  4G048AA03 ,  4G048AB04 ,  4G048AC08 ,  4G048AD04 ,  4G048AE05 ,  4G076AA02 ,  4G076AA03 ,  4G076BF02 ,  4G076BF05 ,  4G076CA03 ,  4G076DA11 ,  4G146MA14 ,  4G146MB02 ,  4G146MB12 ,  4G146MB30 ,  4G146NA04 ,  4G146NB02 ,  4G146PA12 ,  4G146PA15

引用特許：

出願人引用 (7件)

• 米国特許第5455489号
  
• 特開平1-104684号公報
  
• 特開平2-41389号公報
  
• 米国特許第5985173号
  
• 蛍光体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-089081   出願人：ソニー株式会社
• 特許第2514423号公報
  
• 特許第2946763号公報