特許
J-GLOBAL ID：200903039762590084
低順電圧で低逆電流の動作特性を有する窒化ガリウムベースのダイオード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-529535
公開番号（公開出願番号）：特表2005-503675
出願日： 2002年07月08日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：
オン状態電圧(Vf)が低く、逆電流(Irev)を比較的低く保つ構造を有する、新しいIII族ベースのダイオードが開示される。本発明の一実施形態は、そのフェルミ準位(または表面ポテンシャル)がピン止めされないGaN系材料から作成されたショットキー障壁ダイオード(10)である。金属-半導体接合での障壁ポテンシャル(33)は、使用する金属(16)のタイプに応じて変動し、特定の金属を使用することにより、ダイオードのショットキー障壁のポテンシャル(33)が下がり、Vfが0.1〜0.3Vの範囲となる。別の実施形態(40)では、トレンチ構造(45)が、逆漏れ電流を低減するためにショットキーダイオード半導体材料(44)上に形成され、隣接するトレンチ(46)の間にメサ領域(49)を有するいくつかの平行な等間隔のトレンチ(46)を有する。本発明の第3実施形態は、障壁ポテンシャル(81)を超えるのではなくそれを通る電子のトンネル効果の結果としてVfが低いGaNトンネルダイオードを提供する。トンネルダイオード(120)の一実施形態も、逆漏れ電流を低減するためにトレンチ構造(121)を有することができる。
請求項（抜粋）：
n+GaN層(42)と、
前記n+GaN層(42)上のn-GaN層(44)と、
仕事関数を有する前記n-GaN層(44)上のショットキー金属層(48)であって、前記n-GaN層(44)は前記ショットキー金属(48)と共に接合を形成し、前記接合は、障壁ポテンシャルのエネルギー準位(33)を有するショットキー金属層(48)と、
前記n-GaN層(44)の表面上のトレンチ構造(45)であって、前記ダイオードは逆バイアス下で逆漏れ電流を受け、逆漏れ電流の量を低減するトレンチ構造(45)と
を備えたことを特徴とするIII族窒化物ベースのダイオード。
IPC (3件)：
H01L29/47
, H01L29/872
, H01L29/88
H01L29/48 M
, H01L29/88 F
, H01L29/48 F
4M104AA04
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB36
, 4M104CC03
, 4M104FF06
, 4M104FF27
, 4M104GG03
, 4M104HH20
