特許
J-GLOBAL ID：200903039764995030
コンデンサを備えた半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉 克文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-368728
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195751
出願日： 1997年12月29日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】 ソルダの這い上がりに起因する信頼性の低下を生じることなく、且つコンデンサの所望の静電容量を確保しながら小型化が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板2に表面2aから裏面2bに達する貫通孔3を形成する。貫通孔3は、段差面3cで接続された第1孔部3Aと第2孔部3Bから構成される。第1、第2孔部3A、3Bは、表面2aに開口3aを裏面2bに開口3bをそれぞれ形成する。第1電極層5を一部を開口2aより露出させて貫通孔3の内壁面に沿って形成する。誘電体層6を第1電極層5の裏面に沿って形成する。第2電極層9を誘電体層6の裏面に沿って形成する。第1電極層5、誘電体層6、第2電極層9はコンデンサ10を構成する。
請求項（抜粋）：
表面から裏面に達する貫通孔を有すると共に、その貫通孔が前記表面および裏面に第1開口および第2開口をそれぞれ形成している半導体基板と、一部を前記第1開口より露出させて前記貫通孔の内壁面に沿って形成された第1電極層と、前記第1電極層の裏面に沿って形成された誘電体層と、一部を前記第2開口を介して前記半導体基板の裏面に延在させながら前記誘電体層の裏面に沿って形成された第2電極層とを備え、前記第1電極層と前記誘電体層と前記第2電極層とがコンデンサを構成している半導体装置において、前記貫通孔が、その中心軸に沿って配置された内寸法の異なる少なくとも二つの孔部分の結合体から構成されていて、それら少なくとも二つの孔部分によって前記貫通孔の内壁面に段差が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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