特許
J-GLOBAL ID：200903004757236177

マイクロ波集積回路装置及びその製造方法

発明者：
望月 正生

望月 正生 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-176382
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097375
出願日： 1995年07月12日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【課題】 チップサイズを増大させることなく大きな容量値のMIM容量あるいは大きなインダクタンス値のコイルを形成することができ、しかも回路特性を向上させることができるモノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)を得る。【解決手段】 ガリウム砒素やシリコン等の半導体基板の表面に能動素子を主とする集積回路を形成し、この半導体基板の裏面側から半導体基板を貫通して半導体基板の表面に形成された能動素子の電極端子あるいはアース端子にそれぞれ達する複数の溝を設け、これらの電極端子あるいはアース端子に接続するように基板の裏面側あるいは溝の内壁表面にMIM容量およびコイルを構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板の第1の主表面に形成された能動素子と、該半導体基板の第1の主表面とは異なる半導体基板の第2の主表面から、該第1の主表面に達する溝と、該溝の内壁側面および該第2の主表面の少なくとも一方の上に形成されたリアクタンス素子、とを具備することを特徴とするマイクロ波集積回路。
IPC (8件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01F 41/04 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 29/43 ,  H01P 1/00 ,  H01P 11/00 ,  H03F 3/60
FI (3件)：
H01L 27/04 L ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/46 G
引用特許：
審査官引用 (10件)
  • 特開平2-199862
  • 特開平2-067752
  • 半導体集積回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-011450   出願人：沖電気工業株式会社
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM