特許

J-GLOBAL ID：200903039776416125

SnSeベースの限定リプログラマブルセル

発明者： キャンプベル,クリスティ,エー.
出願人/特許権者： マイクロン テクノロジー, インク.
代理人 (2件)： 野村 泰久 ,  大菅 義之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-557063
公開番号（公開出願番号）：特表2008-532285
出願日： 2006年02月17日
公開日（公表日）： 2008年08月14日
要約：

或る限られた回数だけプログラム可能なメモリデバイスを提供するための方法及び装置。典型的な実施形態によれば、メモリデバイス及びその製造方法は、第1の電極と、第2の電極と、これら第1及び第2の電極の間のカルコゲナイド材料層又はゲルマニウム構成材料層とを提供する。このメモリデバイスは、上記カルコゲナイド材料層又はゲルマニウム構成材料層と、第2の電極との間に、錫カルコゲナイド層を更に含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の電極と、 第2の電極と、 前記第1の電極と前記第2の電極との間の、カルコゲナイド材料又は半金属材料からなる材料層と、 前記カルコゲナイド材料層と前記第2の電極との間の錫カルコゲナイド層とを備え、 前記材料層の厚さに対する前記錫カルコゲナイド層の厚さの比が約4対3よりも小さい、 ことを特徴とするメモリデバイス。

IPC (2件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00

FI (2件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 A

Fターム (8件)：

5F083FZ10 ,  5F083HA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (1件)

• メモリ、書き込み装置、読み出し装置およびその方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-324150   出願人：松下電器産業株式会社