特許

J-GLOBAL ID：200903039799211318

電子装置および電子装置のためのメンブレンを形成する方法

発明者： ジャン・ポール・ガイルメット ,  マイリアム・コムベス ,  ステファン・アスタイ ,  エマニュエル・シェイド
出願人/特許権者： モトローラ・セミコンデュクトゥール・ソシエテ・アノニム
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-225252
公開番号（公開出願番号）：特開平11-166866
出願日： 1998年07月24日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：

【要約】【課題】 低電力で動作することができる改善された電子装置と、このような電子装置の形成方法とを提供する。【解決手段】 電子装置は、基板2内まで延在するキャビティ32を有する半導体基板2と、半導体基板上に形成され、半導体基板内でキャビティの両端に延在するよう形成されるメンブレン8と、メンブレン8により支持されキャビティ32に隣接して位置する能動領域14,30とによって構成される。メンブレン8は、酸窒化物材料によって形成される単独の誘電層によって構成される。

請求項（抜粋）：

電子装置であって:基板内に延在するキャビティを有する半導体基板;前記半導体基板内の前記キャビティの両端に延在するよう、半導体基板上に形成されるメンブレン;および前記メンブレンにより支持され、前記キャビティに隣接して位置する能動領域;によって構成され、前記メンブレンが酸窒化物材料により形成される単独の誘電層によって構成されることを特徴とする電子装置。

IPC (4件)：

G01K 7/00 ,  G01L 9/00 ,  G01N 27/12 ,  H01L 29/84

FI (5件)：

G01K 7/00 Z ,  G01L 9/00 Z ,  G01N 27/12 M ,  G01N 27/12 B ,  H01L 29/84 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 低消費電力型薄膜ガスセンサ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-220866   出願人：エルジー電子株式会社