特許
J-GLOBAL ID:200903062411936695
低消費電力型薄膜ガスセンサ及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
浜本 忠 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-220866
公開番号(公開出願番号):特開平7-198646
出願日: 1994年08月24日
公開日(公表日): 1995年08月01日
要約:
【要約】【目的】 ガスセンサ発熱部の支持膜を熱損失の少ないガラス質薄膜で形成し、ガス感知膜が特性ガスにうまく動作をするように、特定温度で加熱するヒータの高温加熱時ヒータの消費電力を最小化させる低消費電力型薄膜ガスセンサを提供する。【構成】 一側表面中央部にウィンドウを有するシリコン基板と、このウィンドウを除いた基板の側の表面上に形成されたマスキング物質と、蝕刻停止層とガラス質膜で構成され、基板の他側表面上に形成された一定の幅を有する支持膜と、ウィンドウに対応する支持膜上に並んで形成されたヒータ及び温度センサと、前記ヒータ及び温度センサを覆うように支持膜上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成された感知膜電極と、感知膜電極を覆うように層間絶縁膜上に形成された感知膜とでガスセンサを構成する。
請求項(抜粋):
一側表面中央部にウィンドウを有するシリコン基板と、ウィンドウを除いた側の基板表面上に形成されたマスキング物質と、蝕刻停止層とガラス質膜で構成され、基板の他側表面上に形成された一定の幅を有する支持膜と、ウィンドウに対応する支持膜上に並んで形成され、一定の長さの発熱部を有するヒータ及び温度センサと、前記ヒータ及び温度センサを覆うように支持膜上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成された感知膜電極と、感知膜電極を覆うように層間絶縁膜上に形成された感知膜と、を含むことを特徴とする低消費電力型薄膜ガスセンサ。
引用特許:
審査官引用 (15件)
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特開平1-313751
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特開平4-080647
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特開昭63-243817
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特開昭62-287142
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特開平2-196950
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特開平4-128646
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特開平1-189553
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特開平3-251755
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特開昭63-108256
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特開昭54-121793
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特開昭58-103654
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特開平2-138858
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ガスセンサおよびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-048946
出願人:富士電機株式会社
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特開昭60-060547
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特開昭58-105583
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