特許
J-GLOBAL ID：200903039813575751
貼り合わせSOI基板の作製方法及びSOI基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-079783
公開番号（公開出願番号）：特開平9-331049
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】 貼り合わせ基板の周辺部にボイドが発生し、SOI基板からのデバイスの取れ数が少ない。【解決手段】 SiO2 表面102を有する第1のSi基板101と、Si表面を有する第2のSi基板110とを前記SiO2 表面102と前記Si表面とで貼り合わせることにより得られるSOI基板の作製方法において、前記第1のSi基板101と前記第2のSi基板110とを貼り合わせる前に、前記第2のSi基板110のSi表面が疎水性になる洗浄を行なう。
請求項（抜粋）：
SiO2 表面を有する第1のSi基板と、Si表面を有する第2のSi基板とを前記SiO2 表面と前記Si表面とで貼り合わせることにより得られるSOI基板の作製方法において、前記第1のSi基板と前記第2のSi基板とを貼り合わせる前に、前記第2のSi基板のSi表面が疎水性になる洗浄を行なうことを特徴とする貼り合わせSOI基板の作製方法。
IPC (6件)：
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/20
, H01L 21/304 321
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 27/12 B
, H01L 21/02 B
, H01L 21/20
, H01L 21/304 321 A
, H01L 29/78 627 D
