特許
J-GLOBAL ID：200903039840101400
発光ダイオードおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-136945
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335619
出願日： 1992年05月28日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 窓層の抵抗を低くし、結晶成長中の活性層へのp型不純物の拡散を抑え、高輝度で信頼性に優れた発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。【構成】 窓層6aの正孔濃度を、活性層に近い1μmのみ正孔濃度p=1×1018cm-3とし、残り6μmはp=3×1018cm-3とする。すなわち窓層6aの内、活性層に近い領域のZn濃度を低くすることにより、活性層へのZnの拡散を抑え、活性層中の非発光中心の発生を防ぐことができる。活性層から離れた領域のZn濃度を高くすることにより、窓層6a中の抵抗を低くできる。
請求項（抜粋）：
n型半導体基板上に、n型リン化インジウム・ガリウム・アルミニウムからなるn型クラッド層,リン化インジウム・ガリウムまたはリン化インジウム・ガリウム・アルミニウムからなる活性層,p型リン化インジウム・ガリウム・アルミニウムからなるp型クラッド層を順次成長し、前記p型クラッド層上に、リン化インジウム・ガリウム・アルミニウムまたはヒ化ガリウム・アルミニウムからなる窓層を成長した発光ダイオードであって、前記窓層の前記活性層に近い部分のp型不純物濃度を低くし、前記窓層の前記活性層から遠い部分のp型不純物濃度を高くしたことを特徴とする発光ダイオード。
引用特許：
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