特許

J-GLOBAL ID：200903039850897858

II-VI族化合物半導体発光素子

発明者： 石橋 晃 ,  伊藤 哲 ,  奥山 浩之 ,  中野 一志 ,  近藤 憲治 ,  武石 玲子
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-275285
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018168
出願日： 1994年11月09日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 II-VI族化合物半導体発光素子の長寿命化を図る。【構成】 II-VI族化合物半導体発光素子において、p側クラッド層6の活性層側の部分26を低不純物ドープ領域にして構成する。

請求項（抜粋）：

p側クラッド層の活性層側を低不純物ドープ領域又はノンドープ領域としてなることを特徴とするII-VI族化合物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-330916   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体レーザー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-229356   出願人：ソニー株式会社