特許
J-GLOBAL ID：200903039854774858

酸化物磁性体及びその製造方法

発明者：
赤瀬川 章彦

赤瀬川 章彦 について

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山中 一典

山中 一典 について

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小林 和雄

小林 和雄 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-278896
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129446
出願日： 1995年10月26日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】 磁気抵抗変化における外部飽和磁場(Hs)を低減する。【解決手段】 1)ペロブスカイト型混合原子価Mn系酸化物磁性体膜の表面に反強磁性体膜を形成してなる酸化物磁性体,2)前記反強磁性体膜が同型の母相Mn系酸化物反強磁性体膜である前記1記載の酸化物磁性体,3)前記1記載のペロブスカイト型混合原子価Mn系酸化物磁性体膜の下側にも反強磁性体膜を形成してなる酸化物磁性体,4) ペロブスカイト型混合原子価のそれぞれの母相Mn系酸化物反強磁性体を積層し, 熱処理することにより界面層に混合原子価Mn系酸化物磁性体を形成する酸化物磁性体の製造方法。
請求項（抜粋）：
ペロブスカイト型混合原子価Mn系酸化物磁性体膜の表面に反強磁性体膜を形成してなることを特徴とする酸化物磁性体。
IPC (3件)：
H01F 10/18 ,  C23C 14/08 ,  G11B 5/39
FI (3件)：
H01F 10/18 ,  C23C 14/08 M ,  G11B 5/39
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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