磁気抵抗効果膜およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-334312
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202292
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】ゼロ磁場前後で直線的に抵抗変化し、しかも耐蝕性にすぐれた人工格子磁気抵抗効果膜を実現する。【構成】反強磁性体と交換結合して抗磁力を与えられた磁性層と軟磁性層が非磁性層を介して積層された人工格子磁気抵抗効果膜において、磁性層2と3の容易軸が直交するように成膜中印加磁界を90度回転する。反強磁性体5を酸化物反強磁性体あるいはその超格子とする。基板温度を150〜300°Cとして反強磁性体5と隣接する磁性層3を連続成膜する。非磁性層1の膜厚を20から30オングストロームとする。

請求項（抜粋）：

基板上に非磁性薄膜を介して積層した複数の磁性薄膜からなり、非磁性薄膜を介して隣あう一方の軟磁性薄膜に反強磁性薄膜が隣接して設けてあり、この反強磁性薄膜のバイアス磁界をH<SB>r </SB>、他方の軟磁性薄膜の保持力をH<SB>C2</SB>としたとき、H<SB>C2</SB><H<SB>r </SB>である磁気抵抗効果膜において、前記反強磁性体がNiO,CoO,FeO,Fe<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>,CrO,MnO,Crの少なくとも1種またはこれらの混合物からなることを特徴とする磁気抵抗効果膜。

IPC (4件)：

H01L 43/02 , G11B 5/39 , H01F 10/12 , H01L 43/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気記録再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-018430 出願人：株式会社日立製作所
特開昭60-189906
特開昭60-154339

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