特許
J-GLOBAL ID：200903039857904981

半導体装置の製造装置及びその製造方法

発明者：
江利口 浩二

江利口 浩二 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-372153
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031226
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 クラスタリングされた製造装置内で、光学的評価により半導体領域上の膜の厚みを測定できる半導体装置の製造装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ロードロック室3を中心として、洗浄用チャンバ1,高速酸化用チャンバ2,光学的測定用チャンバ5などが配置され、クラスタリングされた半導体装置の製造装置を備えている。光学的測定システムには、励起光用光源7,測定光用光源8,光検出器9,制御・解析システム13などが配置されている。例えば、酸化膜の形成時、ウエハを洗浄用チャンバ1で洗浄後、光学的測定用チャンバ5で光変調反射率分光により自然酸化膜の残存程度などを測定し、その後高速酸化用チャンバ2で酸化する。ウエハ表面が大気暴露などにより酸化されることがなく、一連の処理の途中におけるウエハの表面状態をモニターできるので、クラスタリングされた装置を用いた製造工程の管理が可能になる。
請求項（抜粋）：
半導体領域を有するウエハに処理を施すための複数の処理室と、上記複数の処理室を含む空間を大気から遮断した雰囲気に維持するように取り囲む共通容器と、上記共通容器内でウエハを搬送するための搬送手段と、上記共通容器内のいずれかの部位にウエハを設置した状態で上記ウエハの表面状態を光学的に評価するための光学的測定手段とを備えてクラスタリングされていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
IPC (6件)：
H01L 21/66 ,  G01B 11/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 645 ,  H01L 21/31
FI (7件)：
H01L 21/66 L ,  H01L 21/66 P ,  G01B 11/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 645 D ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/302 N
引用特許：
審査官引用 (3件)

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