特許
J-GLOBAL ID:200903039879825198
レーザ照射方法および半導体装置の作製方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-333013
公開番号(公開出願番号):特開2003-218058
出願日: 2002年11月15日
公開日(公表日): 2003年07月31日
要約:
【要約】【課題】半導体装置の作製工程において、CWレーザを半導体膜上に相対的に走査させながら照射すると、走査方向に延びた長い結晶粒がいくつも形成される。このようにして形成された半導体膜は前記走査方向においては実質的に単結晶に近い特性のものとなる。しかしながら、CWレーザの干渉性が高いため、均一なレーザ照射を行うのが難しい。【解決手段】レーザビームの半導体膜表面に対する入射角度を0°以外の所望の範囲とすることで、レーザビームの干渉を抑制することができる。一般にCWレーザは出力が小さいため、これを大面積領域に照射するためには、レーザビームを往復させる必要がある。しかしながら前記入射角度が0°でないため、往路と復路とでレーザ照射の効果の違いが生じる。これを抑制するために、前記入射角度を可変とし、往路と復路でのレーザ照射の条件を同様とした。
請求項(抜粋):
レーザビームを照射面もしくはその近傍にて長いビームに加工し、前記長いビームに対して前記照射面を第1方向に第1の入射角度で相対的に移動させながら照射するレーザ照射方法であって、前記第1の入射角度で入射する前記レーザビームと前記移動方向とが成す角度が常に一定であることを特徴とするレーザ照射方法。
IPC (6件):
H01L 21/268
, G02F 1/13 101
, G02F 1/1368
, H01L 21/20
, H01L 21/336
, H01L 29/786
FI (5件):
H01L 21/268 J
, G02F 1/13 101
, G02F 1/1368
, H01L 21/20
, H01L 29/78 627 G
Fターム (111件):
2H088FA24
, 2H088FA30
, 2H088HA08
, 2H088MA20
, 2H092GA59
, 2H092JA24
, 2H092KA04
, 2H092KA05
, 2H092MA30
, 2H092NA24
, 5F052AA02
, 5F052AA17
, 5F052AA24
, 5F052BA01
, 5F052BA04
, 5F052BA07
, 5F052BB01
, 5F052BB02
, 5F052BB04
, 5F052BB05
, 5F052BB06
, 5F052BB07
, 5F052CA04
, 5F052CA07
, 5F052DA02
, 5F052DA03
, 5F052DB02
, 5F052DB03
, 5F052DB07
, 5F052EA12
, 5F052FA06
, 5F052FA19
, 5F052JA01
, 5F052JA04
, 5F110AA17
, 5F110BB02
, 5F110BB04
, 5F110CC02
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD05
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE09
, 5F110EE14
, 5F110EE23
, 5F110EE28
, 5F110EE44
, 5F110EE45
, 5F110FF02
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF28
, 5F110FF30
, 5F110FF36
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG24
, 5F110GG25
, 5F110GG32
, 5F110GG43
, 5F110GG45
, 5F110GG47
, 5F110HJ01
, 5F110HJ04
, 5F110HJ12
, 5F110HJ13
, 5F110HJ23
, 5F110HL01
, 5F110HL02
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL06
, 5F110HL11
, 5F110HL12
, 5F110HM15
, 5F110NN02
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN22
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110NN71
, 5F110NN72
, 5F110NN73
, 5F110NN78
, 5F110PP01
, 5F110PP02
, 5F110PP03
, 5F110PP05
, 5F110PP06
, 5F110PP10
, 5F110PP29
, 5F110PP34
, 5F110QQ04
, 5F110QQ11
, 5F110QQ23
, 5F110QQ24
, 5F110QQ25
引用特許:
出願人引用 (5件)
-
半導体装置およびその作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-162705
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
レーザー照射装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-021011
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
特開平3-289128
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審査官引用 (3件)
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