特許

J-GLOBAL ID：200903039884866307

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 宮治 主
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-320880
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093486
出願日： 2003年09月12日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】 一定形状の貫通孔を半導体基板に安定して形成できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】 シリコン基板1の表面に層間絶縁膜を介して形成されたパッド電極5を当該シリコン基板1の裏面に引き出すために電極37を形成する方法であって、このシリコン基板1の裏面から当該シリコン基板1と層間絶縁膜3とをエッチングしてパッド電極5を底面とする貫通孔Hを形成し、この貫通孔Hのシリコン基板1からなる側壁と、当該シリコン基板1の裏面とに絶縁膜21を形成し、その後、この貫通孔Hを埋め込むように絶縁膜21上に銅等の金属材料を形成すると共に、この金属材料を所定形状に加工してプラグ電極37を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の一方の面に層間絶縁膜を介して形成されたパッド電極を当該半導体基板の他方の面に引き出すための貫通電極を形成する方法であって、 前記半導体基板の前記他方の面から当該半導体基板と前記層間絶縁膜とをエッチングして前記パッド電極を底面とする貫通孔を形成する工程と、 前記貫通孔の前記半導体基板からなる側壁と、当該半導体基板の前記他方の面とに絶縁膜を形成する工程と、 前記貫通孔を埋め込むように前記絶縁膜上に導電材料を形成し、当該導電材料を所定形状に加工して前記貫通電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/3205 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (2件)：

H01L21/88 J ,  H01L25/08 Z

Fターム (31件)：

5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK18 ,  5F033MM05 ,  5F033MM30 ,  5F033NN06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ28 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS11 ,  5F033VV07 ,  5F033XX00 ,  5F033XX33

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-086152   出願人：ソニー株式会社