特許
J-GLOBAL ID：200903039886465296
電磁場発生素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
原 謙三
, 木島 隆一
, 金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-002003
公開番号（公開出願番号）：特開2005-195868
出願日： 2004年01月07日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：
【課題】入射光による不要なバックグラウンド光を除き、かつ、局所的に存在する電磁場のスポット径の拡大を防ぎ、かつ、金属層の表面に保護層がなくても表面プラズモンポラリトンの強度が伝播中に減衰しにくい電磁場発生素子を実現する。【解決手段】電磁場発生素子1において、高屈折率誘電体2を三角プリズムとし、面2aを電磁場照射対象5の電磁場照射面に平行に、面2bを電磁場照射面に垂直に配置する。高屈折率誘電体2の面2b上に、低屈折率誘電体層3、金属層4を順次蒸着で形成する。高屈折率誘電体2の面2cから入射光6を入射し、低屈折率誘電体層3に照射してエバネッセント波を発生させる。これにより低屈折率誘電体層3と金属層4との界面で表面プラズモンポラリトンを発生させて第1の位置Aから第2の位置Bへ伝播させ、該界面のエッジから電磁場9を発生・出射する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも、高屈折率誘電体、低屈折率誘電体層、金属層がこの順で連続配置されるように構成された電磁場発生素子であって、
上記高屈折率誘電体側から上記低屈折率誘電体層に照射されて上記低屈折率誘電体層内でエバネッセント波が生じるように、入射光が入射され、
上記エバネッセント波を基に、上記低屈折率誘電体層と上記金属層との界面の所定のエッジから電磁場を出射し、
出射される上記電磁場が上記入射光と重ならないことを特徴とする電磁場発生素子。
IPC (3件)：
G02F1/01
, G02B6/122
, G11B7/135
G02F1/01 F
, G11B7/135 A
, G02B6/12 A
, G02B6/12 C
2H047KA02
, 2H047MA03
, 2H047QA01
, 2H047RA01
, 2H047RA04
, 2H079AA08
, 2H079CA16
, 2H079CA23
, 2H079DA02
, 2H079EA11
, 5D789CA23
, 5D789JA43
