デバイスの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三俣弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-351061
公開番号（公開出願番号）：特開平6-083056
出願日： 1992年12月07日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】遠紫外線に照射されても膜厚減少率の少ないレジスト材料を提供する。【構成】ターポリマーを使用すると、半導体デバイスの製造における遠紫外線リソグラフィに好適なレジストの特性を高めることができる。このターポリマーは、二酸化硫黄、酸感受性モノマー部分および最終ターポリマーに極性を付与するモノマーから生成されたポリマーとして表されるものである。

請求項（抜粋）：

(1) 基板上に輻射線感受性材料を形成する工程;(2) 前記材料を前記輻射線に暴露し、潜像を形成する工程;(3) 前記材料を溶剤に暴露して前記材料中の前記像を現像する工程;(4) 前記像を使用し前記基板を更に加工する工程;からなるデバイスの製造方法であって、前記輻射線感受性材料はポリマーからなり、該ポリマーは、(A) SO2 ;(B) 1.5デバイ以上の極性と、pH7の水に対して0.5g/水100g以上の溶解度を有する極性モノマー;および、(C) (i) 前記ポリマーを前記溶剤中に可溶性にする置換基、または、(ii)前記材料と前記輻射線との相互作用により生成された種と反応し、前記輻射線に暴露されない前記材料の領域よりも前記溶剤に対する溶解度が異なる組成物を生成する置換基、を有するモノマー;の反応生成物として表されることを特徴するデバイスの製造方法。

IPC (5件)：

G03F 7/039 , G03F 7/004 503 , G03F 7/038 , H01L 21/027 , H05K 3/00

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭57-179851
特開昭62-215628
特開昭63-000319

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